سابقه و هدف: به دلیل اهمیت میدانهای مغناطیسی در ایجاد تغییراتی در رفتار سلولی و نیز پی بردن به مکانیزم اثر میدان های مغناطیسی ELF (Extremely low frequency) و ترکیب آن با میدان های مغناطیسی مستقیم روی سلول لازم است مطالعه وسیع تری صورت پذیرد. هدف از این تحقیق بررسی تاثیر میدانهای مغناطیسی ترکیبی مستقیم DC و ELF پالسی بر روی رشد باکتری E.Coli-DH۵-α بود.
 روش بررسی: در مطالعه تجربی حاضر، در هر سری آزمایش ده عدد کووت حاوی محیط کشت تلقیح داده شده با باکتری E.Coli در دو گروه تجربی و شاهد بررسی شدند. گروه تجربی در انکوباتور در دمای ۱/۰±۳۷ درجه سانتی گراد در داخل میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفت. شکل موج میدان متغیر در تمام موارد، پالسی با پهنای پالس ۶ میلی ثانیه و محدوده اعمال فرکانس ها ۱۰ الی ۴۵ هرتز به فواصل ۵ هرتز و محدوده شدت میدان پالسی موثر ۲ الی ۴ میلی تسلا به فواصل ۱ میلی تسلا و میدان مغناطیسی ثابت در تمام آزمایش ها ۱ میلی تسلا و مدت زمان اعمال میدان ۶ ساعت بلا فاصله پس از شروع کشت بود. گروه شاهد در شرایط مشابه در محفظه ی آهنی و خارج میدان قرار داده شد. بررسی رشد باکتری، به روش کدورت سنجی محیط کشت ها به وسیله اسپکتروفتومتر در فواصل زمانی مشخص بود. اندازه گیری زمان تاخیر و نیز سرعت رشد در فاز لگاریتمی به عنوان شاخص های ارزیابی انتخاب گردید.
 یافته ها: میدان های مغناطیسی ترکیبی DC و ELF پالسی بجز فرکانس های ۱۵، ۲۵ و ۴۰ هرتز، سرعت رشد را افزایش دادند. زمان تاخیر بجز در فرکانس های ۱۵، ۳۰ و ۴۵ هرتز تغییر کرد. در فرکانس های ۲۰ و ۳۵ هرتز میدان باعث افزایش زمان تاخیر شد و در فرکانسهای ۱۰ ، ۲۵ و ۴۰ هرتز زمان تاخیر کاهش می یابد و بنابراین در این محدوده از فرکانس اثر میدان بر روی زمان تاخیر در فواصل ۱۵ هرتز تکرار شد.
نتیجه گیری: این تحقیق، وجود دریچه هایی از فرکانس را برای تشدید اثر میدان مغناطیسی بر روی سلول تایید کرد.